摘要：超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件。通过使用微机械剥离法将制备出的少层硒化镓(GaSe)薄片(厚度为1~10 nm)与块状GaSe作为前驱体,氨气作为氮源,在管式炉中不同温度下退火进行氨化,得到超薄GaN及块状GaN。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光光谱及拉曼光谱对氨化后样品的形貌、成分、光学特性进行了表征。结果表明,超薄GaN的光学带隙比块状GaN大0.16 eV,拉曼光谱中的纵模光学峰也会随着超薄GaN的厚度减小发生蓝移。
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