摘要：随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用，对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求，其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺（AMB）制备的AIN陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选。文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的AIN陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能，并提出了控制TiN层厚度、增加铜箔边缘小孔深度和增加铜箔侧蚀量3种方法来提升AMB工艺制备的AlN覆铜衬板的可靠性。结果表明，可靠性提升后的AlN覆铜衬板耐热冲击可达到1300次、剥离强度达到18N／mm、空洞率达到0，性能优于国外产品，满足高压大功率IGBT模块封装技术要求。
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