摘要：基于南京电子器件研究所的100nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70mA时,在6~18GHz频带内噪声系数小于1.7dB,增益大于25dB,驻波比小于2,1 dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10dBm。前两级采用电流复用结构,降低了功耗;后级采用并联反馈结构,改善带内增益平坦度。芯片尺寸为2.0mm×1.35mm。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
热门期刊
期刊名称：电子与封装
电子与封装杂志紧跟学术前沿，紧贴读者，国内刊号为：32-1709/TN。坚持指导性与实用性相结合的原则，创办于2002年，杂志在全国同类期刊中发行数量名列前茅。
