摘要：AlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段(565~575nm),因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载流子损耗为主。所以研究相同生长温度不同阱垒厚度、量子阱相同厚度不同生长温度、P型掺杂层掺杂浓度对发光光衰的影响。发现较薄的MQW阱垒厚度、较高的MQW生长温度及P-space后端P型层前端插入一层20nm厚度,1.7×10^18cm^-3浓度的高掺杂层三种方案可以改善黄绿光发光二极管光衰性能。
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