摘要：纳米三氧化钨是一类具有宽禁带系数的n型半导体，它的禁带宽度在2．5～3．5 eV之间．作为一类具有开发潜力的半导体材料，它在气体传感器、光催化及电极材料等领域都显示出广泛的应用前景．由于形貌对纳米三氧化钨的紫外吸光度有着重要的影响，因此制备和研究不同结构的三氧化钨受到了人们越来越多的青睐．利用硫脲作为辅助剂，通过水热条件合成了不同结构的纳米三氧化钨粉体，并对前驱体和纳米三氧化钨的紫外吸光度进行了研究．
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