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摘要：采用不同制备工艺(即SiC粉体的预氧化处理),以Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1 900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的SiC陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高.SiO2薄层的形成不利于制备高密度、高强度的SiC陶瓷样品.
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