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偏压对离子源辅助Hi PIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响

摘要:为提高磁控溅射制备薄膜的致密度,减少结构缺陷,研究薄膜显微结构对硬度、韧性及耐蚀性能的影响,尝试在改变离子源和基材偏压的条件下,采用离子源辅助HiPMIS技术在304不锈钢和P型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜。采用扫描电子显微镜、小角X射线衍射仪对薄膜的形貌和晶体结构进行分析;采用纳米压痕仪和维氏硬度计分别测量计算薄膜的硬度和韧性,并通过电化学工作站对薄膜的耐蚀性能进行检测。结果表明:随着偏压的增加以及离子源的引入,离子的轰击效应增强,薄膜的沉积速率下降,致密度增加。偏压为-200 V时,薄膜的硬度达到最大值16.2 GPa,且对应的晶粒尺寸最小,(111)晶面衍射峰的强度最高。离子源的加入使所制备薄膜的硬度略有下降。此外,随着偏压的增加,薄膜的韧性和耐腐蚀性能也有一定提高。

关键词:
  • hipims  
  • 离子源  
  • 偏压  
  • 韧性  
  • 耐蚀性  
作者:
贺贞; 孙德恩; 黄佳木
单位:
重庆大学材料科学与工程学院; 重庆400044; 重庆大学机械传动国家重点实验室; 重庆400044
刊名:
中国表面工程

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

期刊名称:中国表面工程

中国表面工程杂志紧跟学术前沿,紧贴读者,国内刊号为:11-3905/TG。坚持指导性与实用性相结合的原则,创办于1988年,杂志在全国同类期刊中发行数量名列前茅。

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