摘要：为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。
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期刊名称：真空
真空杂志紧跟学术前沿，紧贴读者，国内刊号为：21-1174/TB。坚持指导性与实用性相结合的原则，创办于1964年，杂志在全国同类期刊中发行数量名列前茅。
